一種超薄基板結(jié)構(gòu)的制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011492713.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112599424A | 公開（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請公布號 | CN112599424A | 申請公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號 | H01L23/14(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳先明;趙江江;馮磊;寶玥;黃本霞;洪業(yè)杰 | 申請（專利權(quán)）人 | 南通越亞半導體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京風雅頌專利代理有限公司 | 代理人 | 李翔;鮑勝如 |
| 地址 | 226000江蘇省南通市港閘區(qū)福禧路349號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種超薄基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟：(a)準備承載板，在所述承載板的表面形成第一阻焊層，并在所述第一阻焊層內(nèi)形成第一阻焊開窗；(b)在所述第一阻焊層上形成第一金屬種子層，在所述第一金屬種子層上形成第一布線層、在所述第一布線層上的第一通孔柱層、覆蓋所述第一布線層和所述第一通孔柱層的第一介電層和在所述第一介電層上的第二布線層，其中所述第一布線層和所述第二布線層通過所述第一通孔柱層導通連接；(c)在所述第二布線層上形成第二阻焊層，并在所述第二阻焊層內(nèi)形成第二阻焊開窗；(d)移除所述承載板。?? |
