一種冷光片介電層的組織結(jié)構(gòu)及介電層制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711045625.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107645808B 公開（公告）日 2019-08-16
申請公布號 CN107645808B 申請公布日 2019-08-16
分類號 H05B33/22;H05B33/10 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 張慧;任曉更;張健;宋國祥;張紅文 申請（專利權(quán)）人 中普融創(chuàng)（北京）投資管理有限公司
代理機構(gòu) 寧波鄞州全方專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京星箭長空測控技術(shù)股份有限公司
地址 056360 河北省石家莊市辛集市北區(qū)古城大街北側(cè)、錦繡街南側(cè)、宴西路東側(cè)名品服裝制造區(qū)28號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種冷光片介電層的制備方法，其中，包括如下步驟：A、制備FeNi3合金亞微米球的步驟；B、對FeNi3合金亞微米球進行SiO2介電殼層包覆形成核殼結(jié)構(gòu)的步驟；C、旋涂法制備介電層的步驟。本發(fā)明的優(yōu)點為配比簡單，制作方法簡單，制得的介電層介電性能好，且微納米顆粒無團聚現(xiàn)象，發(fā)光均勻。