單晶爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201620720001.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN206799790U 公開(kāi)（公告）日 2017-12-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN206799790U 申請(qǐng)公布日 2017-12-26
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳五奎;劉強(qiáng);付紅霞;黃振華;馮加保 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 青海拓日新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 青海拓日新能源科技有限公司
地址 810007 青海省西寧市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)昆侖東路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種能夠提高生產(chǎn)效率的單晶爐。該單晶爐包括爐體，所述爐體內(nèi)部設(shè)有石墨坩堝，所述石墨坩堝底部通過(guò)坩堝軸與爐體底部相固定，所述石墨坩堝內(nèi)設(shè)有石英坩堝，石墨坩堝外側(cè)設(shè)置有側(cè)部加熱器，所述爐體側(cè)壁上設(shè)置有抽氣孔，所述石墨坩堝的底部設(shè)置有底部加熱器，所述底部加熱器與側(cè)部加熱器為一體式結(jié)構(gòu)。通過(guò)在石墨坩堝的底部設(shè)置底部加熱器，可以加速多晶硅原料的融化，縮短原料的融化時(shí)間，可以大大提高生產(chǎn)效率，同時(shí)，利用底部加熱器可以對(duì)石墨坩堝底部進(jìn)行溫度補(bǔ)償，避免石墨坩堝底部溫度較低造成晶棒生長(zhǎng)速度緩慢，為了便于安裝和拆卸，所述底部加熱器與側(cè)部加熱器為一體式結(jié)構(gòu)。適合在單晶生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域推廣應(yīng)用。