一種調(diào)節(jié)擴散氣氛的一次擴散工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711057793.0 申請日 -
公開(公告)號 CN109755113B 公開(公告)日 2021-08-10
申請公布號 CN109755113B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃志煥;李亞哲;梁效峰;王浩;徐長坡;陳澄;楊玉聰;王曉捧 申請(專利權(quán))人 TCL環(huán)鑫半導(dǎo)體(天津)有限公司
代理機構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 欒志超
地址 300380 天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種調(diào)節(jié)擴散氣氛的一次擴散工藝,包括將涂源后的硅片設(shè)于擴散爐中按照擴散曲線進行擴散,在擴散過程中通入一定比例的氮氣和氧氣。本發(fā)明的有益效果是由于采用上述技術(shù)方案,通過調(diào)節(jié)硅片在擴散過程中,尤其是升溫過程中氮氣與氧氣的比例來控制硅片擴散后結(jié)深、TRR、硅片表面方塊電阻以及后道的正向電壓的測試結(jié)果,使得硅片更加滿足不同使用需求,使得硅片的結(jié)深、TRR、硅片表面方塊電阻以及后道的正向電壓的數(shù)值可以有效控制,已得到需要的硅片,使得硅片擴散操作性高,簡單方便。