一種單向TVS芯片玻鈍前二次擴(kuò)散工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711057754.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109755112B 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN109755112B 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L21/22;H01L21/225;H01L29/861;H01L21/328 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁效峰;徐長坡;陳澄;楊玉聰;李亞哲;黃志煥;王曉捧;王宏宇;王鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 TCL環(huán)鑫半導(dǎo)體（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 300380 天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號(hào)A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單向TVS芯片玻鈍前二次擴(kuò)散工藝，該方法包括如下步驟：S1磷擴(kuò)散，對(duì)硅片表面預(yù)沉積磷擴(kuò)散源并擴(kuò)散；S2硼擴(kuò)散，以印刷的方式涂布在所述硅片的待擴(kuò)硼面涂硼源并擴(kuò)散；S3制絨，使得硅片表面的粗糙度增加，為硅片后續(xù)玻鈍工藝中保護(hù)膠的涂覆提供涂覆基礎(chǔ)。本發(fā)明的有益效果是采用絲網(wǎng)印刷工藝在硅片待擴(kuò)硼面印刷硼擴(kuò)散源，使得硅片液態(tài)源的涂覆流程得到簡(jiǎn)化，加工周期縮減；液態(tài)源涂覆后采用負(fù)壓擴(kuò)散工藝，減輕硅片邊緣返源情況，擴(kuò)散工藝步驟簡(jiǎn)化，提高了擴(kuò)散效率；制作的PN結(jié)均勻，使得硅片的加工成本降低。