一種GPP玻鈍工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710615708.1 申請日 -
公開(公告)號 CN109309018B 公開(公告)日 2021-10-08
申請公布號 CN109309018B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L21/56;H01L21/268;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉捧;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛(wèi);梁效峰;王宏宇;楊玉聰;史麗萍;徐艷超;陳亞彬 申請(專利權(quán))人 TCL環(huán)鑫半導體(天津)有限公司
代理機構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 代理人 欒志超
地址 300380 天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種GPP玻鈍工藝方法,步驟包括:S1、印刷保護層,以便在后續(xù)溝槽腐蝕時對硅片的無需腐蝕部分進行保護;S2、溝槽開槽:對硅片進行開槽處理,使開槽程度達到GPP芯片的要求;S3、LPCVD?poly:槽內(nèi)進行Poly生長,使電參數(shù)更穩(wěn)定;S4、印刷鈍化層:采用印刷鈍化層的方式使開槽完成的硅片鈍化;S5、燒成:經(jīng)過高溫將鈍化層中玻璃粉固化,最終達到鈍化的效果。本發(fā)明相較于原工藝的有益效果是縮短工藝流程、提高GPP性能、提高生產(chǎn)效率。