一種溝槽式肖特基正面銀表面金屬結(jié)構(gòu)的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710669358.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109390231B 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN109390231B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L21/324（2006.01）I;H01L21/321（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉曉芳;王彥君;孫晨光;徐長坡;王萬禮;張新玲;劉麗媛;董子旭;杜宏強(qiáng);劉闖;張晉英;劉文彬;喬智;印小松;張嬌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 TCL環(huán)鑫半導(dǎo)體（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 300384天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號(hào)A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽式肖特基正面銀表面金屬結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法包括如下步驟：a.在硅片上形成勢(shì)壘金屬層，形成硅片?勢(shì)壘金屬結(jié)構(gòu)；b.對(duì)硅片?勢(shì)壘金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行第一次熱處理；c.在勢(shì)壘金屬層上形成第一金屬層，形成硅片?勢(shì)壘金屬?第一金屬層結(jié)構(gòu)；d.對(duì)硅片?勢(shì)壘金屬?第一金屬層結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二次熱處理；e.在第一金屬層上淀積第二金屬層。本發(fā)明采用合適的金屬薄膜厚度和合金條件，采用在鈦鎳銀前進(jìn)行金屬合金，可避免產(chǎn)品的表觀異常；采用兩次光刻和兩次腐蝕多層金屬薄膜的方法，可使金屬腐蝕形貌穩(wěn)定，利于產(chǎn)品可靠性的提高；此工藝與現(xiàn)有的常規(guī)工藝兼容，無需專用的設(shè)備和引入新的光刻膠。