一種硅片玻鈍前液態(tài)源擴散工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710615672.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109309142B | 公開(公告)日 | 2021-09-07 |
申請公布號 | CN109309142B | 申請公布日 | 2021-09-07 |
分類號 | H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李亞哲;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛(wèi);梁效峰;黃志煥;楊玉聰;李麗娟;鐘瑜 | 申請(專利權)人 | TCL環(huán)鑫半導體(天津)有限公司 |
代理機構 | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人 | 欒志超 |
地址 | 300380 天津市西青區(qū)華苑產業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號A座二層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種硅片玻鈍前液態(tài)源擴散工藝,包括如下步驟:對雙面減薄后放入硅片擴散前處理,處理后的硅片進行印刷擴散源,采用絲網(wǎng)印刷工藝對處理后的硅片一面印刷磷擴散源,另一面印刷硼擴散源或硼鋁擴散源;將硅片相同擴散源的面相對進行疊片裝舟;在擴散爐內進行低壓擴散并進行擴散后處理,擴散后處理后進行硅片表面制絨。本發(fā)明的有益效果是采用絲網(wǎng)印刷工藝在硅片兩面分別印刷磷擴散源、硼擴散源或硼鋁擴散源,使得硅片液態(tài)源的涂覆流程得到簡化,加工周期縮減;液態(tài)源涂覆后采用一次負壓擴散工藝,減輕硅片邊緣返源情況,擴散工藝步驟簡化,提高了擴散效率;制作的PN結均勻,使得硅片的加工成本降低。 |
