一種硅片玻鈍前液態(tài)源擴散工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710615672.7 申請日 -
公開(公告)號 CN109309142B 公開(公告)日 2021-09-07
申請公布號 CN109309142B 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李亞哲;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛(wèi);梁效峰;黃志煥;楊玉聰;李麗娟;鐘瑜 申請(專利權)人 TCL環(huán)鑫半導體(天津)有限公司
代理機構 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 代理人 欒志超
地址 300380 天津市西青區(qū)華苑產業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅片玻鈍前液態(tài)源擴散工藝,包括如下步驟:對雙面減薄后放入硅片擴散前處理,處理后的硅片進行印刷擴散源,采用絲網(wǎng)印刷工藝對處理后的硅片一面印刷磷擴散源,另一面印刷硼擴散源或硼鋁擴散源;將硅片相同擴散源的面相對進行疊片裝舟;在擴散爐內進行低壓擴散并進行擴散后處理,擴散后處理后進行硅片表面制絨。本發(fā)明的有益效果是采用絲網(wǎng)印刷工藝在硅片兩面分別印刷磷擴散源、硼擴散源或硼鋁擴散源,使得硅片液態(tài)源的涂覆流程得到簡化,加工周期縮減;液態(tài)源涂覆后采用一次負壓擴散工藝,減輕硅片邊緣返源情況,擴散工藝步驟簡化,提高了擴散效率;制作的PN結均勻,使得硅片的加工成本降低。