一種硅片激光與堿液結(jié)合制絨工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711059127.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109755102B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN109755102B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L21/02;H01L21/268;C30B33/10;C30B33/04 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李亞哲;黃志煥;徐長坡;陳澄;梁效峰;楊玉聰;王曉捧;王宏宇;王鵬 申請（專利權(quán)）人 TCL環(huán)鑫半導體（天津）有限公司
代理機構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 300380 天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅片激光與堿液結(jié)合制絨工藝，包括以下步驟：S1：對擴散后的硅片進行激光制絨；S2：對激光制絨后的硅片進行堿性溶液制絨。本發(fā)明的有益效果是采用按一定比例配置的玻璃腐蝕液去除擴散后處理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，為激光制絨做好準備，采用激光制絨工藝，其制作過程簡便快捷，且不受使用環(huán)境限制；通過激光制絨，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度，且采用激光制絨，制絨步驟簡單，設備投入成本少；通過堿性溶液對激光制絨后的硅片進行濕法腐蝕，使得硅片表面的粗糙度進一步增大，使得保護膠不易脫落，具有較大的附著力。