一種調(diào)節(jié)擴散氣氛的一次擴散工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201711057793.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109755113A | 公開(公告)日 | 2021-08-10 |
申請公布號 | CN109755113A | 申請公布日 | 2021-08-10 |
分類號 | H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃志煥;李亞哲;梁效峰;王浩;徐長坡;陳澄;楊玉聰;王曉捧 | 申請(專利權(quán))人 | TCL環(huán)鑫半導(dǎo)體(天津)有限公司 |
代理機構(gòu) | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 欒志超 |
地址 | 300380 天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)(環(huán)外)海泰東路12號A座二層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種調(diào)節(jié)擴散氣氛的一次擴散工藝,包括將涂源后的硅片設(shè)于擴散爐中按照擴散曲線進行擴散,在擴散過程中通入一定比例的氮氣和氧氣。本發(fā)明的有益效果是由于采用上述技術(shù)方案,通過調(diào)節(jié)硅片在擴散過程中,尤其是升溫過程中氮氣與氧氣的比例來控制硅片擴散后結(jié)深、TRR、硅片表面方塊電阻以及后道的正向電壓的測試結(jié)果,使得硅片更加滿足不同使用需求,使得硅片的結(jié)深、TRR、硅片表面方塊電阻以及后道的正向電壓的數(shù)值可以有效控制,已得到需要的硅片,使得硅片擴散操作性高,簡單方便。 |
