一種用于強流高電荷態(tài)離子源的六極永磁體及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202210484734.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114694916A | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請公布號 | CN114694916A | 申請公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號 | H01F7/02（2006.01）I;H05H1/10（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫良亭;錢程;李立彬;王輝;盧旺;郭俊偉;陳沁聞;張雪珍 | 申請（專利權(quán)）人 | 中國科學院近代物理研究所 |
| 代理機構(gòu) | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 730000甘肅省蘭州市南昌路509號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種用于強流高電荷態(tài)離子源的六極永磁體，所述六極永磁體為圓筒形，圓筒形的所述六極永磁體包括由內(nèi)而外依次同軸套的釹鐵硼磁塊區(qū)、固定屏蔽層和輻射屏蔽層。圓筒形狀的六極永磁體在內(nèi)壁上產(chǎn)生高于1.4T以上的徑向磁場，在有限的尺寸下產(chǎn)生較高的徑向磁場，自身無退磁風險，且在較強的軸向磁鏡場下無退磁風險。 |
