一種SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)器的短路保護(hù)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021637404.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213547099U 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN213547099U 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H02H7/20（2006.01）I;H02H3/08（2006.01）I;H02M1/08（2006.01）I;H03K17/082（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 孫寶奎;張良;趙彩萍;朱寧輝;王蓓蓓;古哲韜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中電普瑞電力工程有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐國(guó)文
地址 102200北京市昌平區(qū)南邵鎮(zhèn)南中路16號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器的短路保護(hù)電路，包括溫度檢測(cè)電路和控制電路；溫度檢測(cè)電路與控制電路連接，且兩者分別與SiC MOSFET連接，本實(shí)用新型能夠?qū)iC MOSFET進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù)，不易誤動(dòng)作，保護(hù)能力強(qiáng)，避免SiC MOSFET由于結(jié)溫過高而失效，延長(zhǎng)了SiC MOSFET的使用壽命；大大提高了驅(qū)動(dòng)器的可靠性，使驅(qū)動(dòng)器能夠可靠驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET動(dòng)作。