一種芯片晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法及系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011331799.4 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112397409A 公開(公告)日 2021-02-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN112397409A 申請(qǐng)公布日 2021-02-23
分類號(hào) H01L21/66(2006.01)I;G06F16/9035(2019.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇廣峰;姜偉偉 申請(qǐng)(專利權(quán))人 安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)(江蘇)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京文苑專利代理有限公司 代理人 周會(huì)
地址 225000江蘇省揚(yáng)州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)南區(qū)創(chuàng)富工廠1號(hào)樓1-5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種芯片晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法及系統(tǒng),該方法包括:測(cè)試機(jī)對(duì)晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行解析;分析系統(tǒng)分析晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)中所有初步良品芯片測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試數(shù)據(jù),計(jì)算出平均值和方差值;計(jì)算每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的下控制線DC_LCL(n)和上控制線DC_UCL(n);根據(jù)晶圓上初步良品芯片的每個(gè)測(cè)試項(xiàng)電性測(cè)試數(shù)據(jù)實(shí)際值DC_X(n)、該測(cè)試項(xiàng)的下控制線DC_LCL(n)和上控制線DC_UCL(n),判定初步良品芯片是否為不良品。本申請(qǐng)針對(duì)車規(guī)/軍工/航天等高安全、高可靠性要求之芯片,提出了一種晶圓級(jí)的全新的基于測(cè)試數(shù)據(jù)分析的篩選方式,能夠?qū)⒉环险龖B(tài)分布之芯片篩出并剔除,留下的是性能更優(yōu),參數(shù)更佳之良品芯片。??