一種R面藍(lán)寶石晶體的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710073286.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101054723A 公開（公告）日 2007-10-17
申請公布號 CN101054723A 申請公布日 2007-10-17
分類號 C30B29/20(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳盈君 申請（專利權(quán)）人 深圳市淼浩高新科技開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518102廣東省深圳市寶安區(qū)寶安桃花源科技創(chuàng)新園0號研發(fā)中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種R面藍(lán)寶石的生長方法，用綜合熔體法生長晶體，其中使用提拉法下種、收頸、放肩，在等徑生長時(shí)采用泡生法和/或溫梯法。本方法使用的設(shè)備和加熱方式?jīng)]有嚴(yán)格限制，通常使用一般的提拉設(shè)備；無論感應(yīng)加熱還是電阻加熱都能使用。本方法具有提拉法，泡生法和溫梯法的優(yōu)點(diǎn)：可生長大尺寸晶體，污染少，能觀察液面和晶體生長情況；還可使用原有提拉法設(shè)備。同時(shí)該工藝克服了提拉法和溫梯法生長晶體的色心和位錯(cuò)率高的缺點(diǎn)，晶體質(zhì)量優(yōu)異，應(yīng)力小，無滑移帶和孿晶缺陷，位錯(cuò)密度低，晶體完整性和光學(xué)均勻性好，易于產(chǎn)業(yè)化。