氮化鎵層及其同質(zhì)外延生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110048565.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112820633A 公開（公告）日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112820633A 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類號(hào) H01L21/02;H01L29/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅曉菊;王穎慧;特洛伊·喬納森·貝克 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 200135 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)新城路2號(hào)23幢N1128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)具體涉及一種氮化鎵層及其同質(zhì)外延生長(zhǎng)方法，包括：提供氮化鎵襯底，氮化鎵襯底的晶面為C晶面，或氮化鎵襯底的晶面為與C晶面呈偏角α的晶面；對(duì)氮化鎵襯底的邊緣進(jìn)行處理，以使得氮化鎵襯底的邊緣暴露出（1?101）面；于氮化鎵襯底的表面進(jìn)行同質(zhì)外延，以得到同質(zhì)外延生長(zhǎng)的氮化鎵層。上述實(shí)施例中的氮化鎵層的同質(zhì)外延生長(zhǎng)方法可以避免翼晶的形成，進(jìn)而避免由于氮化鎵襯底邊緣外延生長(zhǎng)的氮化鎵層與氮化鎵襯底表面外延生長(zhǎng)的氮化鎵層之間存在較大的應(yīng)力及彈性變形而形成的微裂片、破片及凹坑，降低了外延生長(zhǎng)的氮化鎵層中的位錯(cuò)密度，提高了外延生長(zhǎng)的氮化鎵層的質(zhì)量。