半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011637943.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112864001A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112864001A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L29/20(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉仁鎖;特洛伊·喬納森·貝克 申請（專利權(quán)）人 鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 史治法
地址 200135上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)新城路2號23幢N1128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法，包括：提供襯底；于襯底上形成第一氮化鎵層；于第一氮化鎵層上形成圖形化掩膜層，圖形化掩膜層內(nèi)具有若干個開口；于圖形化掩膜層的上表面和/或開口暴露出第一氮化鎵層的上表面形成碳化硅層或石墨烯層；于開口內(nèi)及碳化硅層的上表面或石墨烯層的上表面形成第二氮化鎵層。上述實施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法中，通過先在圖形化掩膜層的上表面形成碳化硅層或石墨烯層，而后再形成第二氮化鎵層，可以減少位錯、缺陷，改善晶體質(zhì)量，使第二氮化鎵層更容易從圖形化掩膜層上剝離。??