半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110049797.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112820636A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112820636A 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王穎慧;羅曉菊;特洛伊·喬納森·貝克 申請（專利權(quán)）人 鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 200135 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)新城路2號23幢N1128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法，包括：包括：提供襯底；于襯底上形成圖形化掩膜層，圖形化掩膜層內(nèi)具有若干個(gè)開口；采用氫化物氣相外延工藝于圖形化掩膜層的表面形成犧牲層；包括：將形成有圖形化掩膜層的所述襯底置于氫化物氣相外延設(shè)備中；向氫化物氣相外延設(shè)備中通入包括氯化氫及氨氣的反應(yīng)氣體，氯化氫的氣體流量恒定，氨氣的氣體流量在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)呈連續(xù)性變化；于犧牲層上形成N型摻雜厚膜氮化鎵層。本申請可以使得犧牲層在剛開始外延生長時(shí)保持較高質(zhì)量，并在后續(xù)外延過程中增大橫向外延，減少凹坑缺陷的形成，為后續(xù)形成N型摻雜厚膜氮化鎵層提供高質(zhì)量少凹坑缺陷的晶種襯底。