半導體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110049775.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112820635A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112820635A 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅曉菊;王穎慧;特洛伊·喬納森·貝克 申請（專利權）人 鎵特半導體科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 史治法
地址 200135 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)新城路2號23幢N1128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供襯底；于襯底上形成銦層或含銦氧化物層；于銦層或含銦氧化物層上形成氮化鎵層。上述實施例中的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法中，通過先在襯底上形成銦層或含銦氧化物層，在后續(xù)在銦層或含銦氧化物層上形成氮化鎵層時，生長初期由于低溫和銦的遷移作用，可以使得初生長的氮化鎵層為疏松結(jié)構(gòu)，在需要進行剝離時便于氮化鎵層與襯底的剝離；同時，上述實施例中的制備方法不需要使用工藝繁瑣的掩膜技術即可以實現(xiàn)氮化鎵層的剝離，使得工藝更加簡單。