磷硼同步一次擴(kuò)散緩變結(jié)芯片的擴(kuò)散工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011471400.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113161230A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161230A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/225（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪良恩;張小明;安啟躍 申請（專利權(quán)）人 安徽安芯電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥洪雷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐贛林
地址 247000安徽省池州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富安電子信息產(chǎn)業(yè)園10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了磷硼同步一次擴(kuò)散緩變結(jié)芯片的擴(kuò)散工藝，涉及半導(dǎo)體器件加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明主包括裝舟過程、擴(kuò)散過程、擴(kuò)散后清洗過程、P/N兩面噴砂過程，選擇合適的擴(kuò)散條件，所形成的擴(kuò)散后基片可滿足整流芯片的全部電特性的要求。本發(fā)明通過將傳統(tǒng)工藝磷、硼二次擴(kuò)散工藝合并為磷硼同步一次擴(kuò)散工藝，使得工藝流程簡單，生產(chǎn)周期短，良品率高，反向漏電流小，器件在高低溫循環(huán)使用過程中壽命長，且成本降低，相較于傳統(tǒng)工藝，能夠節(jié)約三、四天，另外，采用碳化硅粉作為硼鋁紙?jiān)从玫姆蛛x劑，不會對磷產(chǎn)生吸附作業(yè)，耐高溫能力（HTRB能力）相對較高，可靠性高，在緩變結(jié)擴(kuò)散工藝過程中硅片不易腐蝕。