一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器及其加工工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010161084.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111341852A | 公開（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111341852A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-26 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 汪良恩;焦世龍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 安徽安芯電子科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海華誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 安徽安芯電子科技股份有限公司 |
| 地址 | 247100安徽省池州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富安電子信息產(chǎn)業(yè)園10號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器及其加工工藝，屬于肖特基器件技術(shù)領(lǐng)域。取一覆蓋二氧化硅或氮化硅介質(zhì)作為掩膜的芯片，采用干法刻蝕溝槽，淀積二氧化硅，再填充多晶，采用研磨及干法刻蝕將溝槽內(nèi)多晶刻蝕掉1/3～1/2，再濕法刻蝕溝槽側(cè)壁二氧化硅至高于溝槽內(nèi)剩余多晶表面0.1～0.3μm，溝槽上部較薄層二氧化硅淀積或熱氧化形成屏蔽氧化物，再淀積多晶并回刻至溝槽側(cè)壁平臺(tái)高度，最后淀積勢(shì)壘金屬并退火，淀積傳導(dǎo)金屬，得到具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器，本發(fā)明用于調(diào)整反向偏置下溝槽底部拐角附近電場(chǎng)分布以及減小臺(tái)面勢(shì)壘金屬?半導(dǎo)體界面附近電場(chǎng)強(qiáng)度，可以進(jìn)一步改善傳統(tǒng)溝槽肖特基器件性能。?? |
