一種玻璃結(jié)構(gòu)薄膜太陽能電池及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510476916.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105185861A 公開（公告）日 2015-12-23
申請公布號 CN105185861A 申請公布日 2015-12-23
分類號 H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志強(qiáng);馬明一;黃超;黃力;李嵩;殷紹睿 申請（專利權(quán)）人 遼寧國燦供電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽維特專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 遼寧恒華航海電力設(shè)備工程有限公司
地址 114000 遼寧省鞍山市高新區(qū)越嶺路262號西座3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種本征層可調(diào)帶隙且具有量子阱結(jié)構(gòu)的玻璃結(jié)構(gòu)薄膜太陽能電池及制備方法。該電池從上到下依次包括金屬Ag電極、ITO透明導(dǎo)電薄膜、N型InGaN薄膜、可調(diào)帶隙的量子阱InxGa1-xN本征層、P型InGaN薄膜、GZO透明導(dǎo)電薄膜、BCN絕緣保護(hù)層和普通玻璃襯底，其中InxGa1-xN中x的取值為0～1。本發(fā)明在制備過程中，改變傳統(tǒng)Si太陽能電池材料和結(jié)構(gòu)，引入具有帶隙可調(diào)的InxGa1-xN量子阱本征晶體薄膜作為太陽能電池材料，InxGa1-xN材料具有穩(wěn)定好，耐腐蝕且具有隧穿勢壘以及低的光損系數(shù)，提高了電池的轉(zhuǎn)化效率。其次采用了GZO透明薄膜作為透明導(dǎo)電電極，增加了薄膜太陽能電池的透光率同時提高了透明電極的耐腐蝕性能，使得薄膜太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率得到了很大的提高。