金剛石保護層結(jié)構(gòu)的柔性襯底薄膜太陽能電池及制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510475317.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105140339B | 公開(公告)日 | 2017-10-13 |
申請公布號 | CN105140339B | 申請公布日 | 2017-10-13 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張東 | 申請(專利權(quán))人 | 遼寧國燦供電有限公司 |
代理機構(gòu) | 沈陽銘揚聯(lián)創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 沈陽工程學(xué)院;許昌昌東科技有限公司 |
地址 | 110136 遼寧省沈陽市沈北新區(qū)蒲昌路18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及金剛石保護層結(jié)構(gòu)的柔性襯底的薄膜太陽能電池制備方法,聚酰亞胺柔性襯底上依沉積金剛石絕緣保護薄膜、ITO透明導(dǎo)電薄膜、P型InxGa1?xN量子阱本征晶體薄膜、I型InxGa1?xN量子阱本征晶體薄膜、N型InxGa1?xN量子阱本征晶體薄膜、ITO透明導(dǎo)電薄膜以及金屬Ag電極,此柔性太陽能電池最大的特點是重量輕、攜帶方便、不易粉碎,其重量比功率和體積比功率較其它種類的電池高幾個數(shù)量級。具有很好的柔性,改變了I層材料和結(jié)構(gòu),引入具有帶隙可調(diào)的InxGa1?xN量子阱本征晶體薄膜作為I層,InxGa1?xN材料具有穩(wěn)定好,耐腐蝕且具有隧穿勢壘以及低的光損系數(shù),提高了電池的轉(zhuǎn)化效率。采用金剛石作為保護絕緣層,抗腐蝕性進一步增強了,大大延長了薄膜太陽能電池的使用壽命。 |
