一種InXGa1-XN玻璃結(jié)構(gòu)薄膜太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201520586383.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN204857758U 公開（公告）日 2015-12-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN204857758U 申請(qǐng)公布日 2015-12-09
分類號(hào) H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志強(qiáng);馬明一;黃超;黃力;李嵩;殷紹睿 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 遼寧國(guó)燦供電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽(yáng)維特專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 遼寧恒華航海電力設(shè)備工程有限公司
地址 114000 遼寧省鞍山市高新區(qū)越嶺路262號(hào)西座3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于一種玻璃襯底太陽(yáng)能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種本征層可調(diào)帶隙且具有量子阱結(jié)構(gòu)的InXGa1-XN玻璃基片薄膜太陽(yáng)能電池，從上到下依次包括金屬Ag電極、第一透明導(dǎo)電薄膜、N型InGaN薄膜、可調(diào)帶隙的量子阱InxGa1-xN本征層、P型InGaN薄膜、第二透明導(dǎo)電薄膜、絕緣保護(hù)層、普通玻璃襯底，其中可調(diào)帶隙的量子阱InxGa1-xN本征層中x的取值為0～1范圍。本新型結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池的模型。改變傳統(tǒng)Si太陽(yáng)能電池材料和結(jié)構(gòu)，引入具有帶隙可調(diào)的InxGa1-xN量子阱本征晶體薄膜作為太陽(yáng)能電池材料，InxGa1-xN具有穩(wěn)定好，耐腐蝕且具有隧穿勢(shì)壘以及低的光損系數(shù)，提高了電池的轉(zhuǎn)化效率。