一種低溫高生長速率氧化硅薄膜的原子層沉積方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011049192.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112210769A 公開（公告）日 2021-01-12
申請公布號 CN112210769A 申請公布日 2021-01-12
分類號 C23C16/40;C23C16/455;C07F7/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 芮祥新;汪穹宇;李建恒 申請（專利權）人 合肥安德科銘半導體科技有限公司
代理機構 寧波中致力專利代理事務所（普通合伙） 代理人 合肥安德科銘半導體科技有限公司
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號明珠產業(yè)園3號樓5層E區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低溫高生長速率氧化硅薄膜的原子層沉積方法，以雙氨基取代的乙硅烷作為前驅體，沉積腔體的溫度在整個沉積過程中保持在50℃以下。雙氨基取代的乙硅烷常溫下為液態(tài)，比固態(tài)產品更易于純化和輸送，且?SiH3被臭氧氧化為?Si(OH)3的反應具有更低的活化勢壘，能夠在50℃以下沉積反應，并顯著提高SiO2薄膜的沉積速率。