一種含Ta薄膜的原子層沉積方法及其產(chǎn)物

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010423179.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111534808A 公開(kāi)（公告）日 2020-08-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN111534808A 申請(qǐng)公布日 2020-08-14
分類(lèi)號(hào) C23C16/455(2006.01)I 分類(lèi) -
發(fā)明人 黃新宇;芮祥新;李建恒 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波中致力專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司
地址 230088安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號(hào)明珠產(chǎn)業(yè)園3號(hào)樓5層E區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種含Ta薄膜的原子層沉積方法及其產(chǎn)物，以iPrN＝Ta(NR1R2)3為反應(yīng)源之一，在200～350℃進(jìn)行原子層沉積，得到含Ta薄膜；其中，R1、R2為C1～C6烴基。本發(fā)明能夠在200℃～350℃沉積得到碳含量更低、電子器件性質(zhì)更好的含Ta薄膜，碳含量更低、電子器件性質(zhì)更好。??