一種含Ta薄膜的原子層沉積方法及其產(chǎn)物
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010423179.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111534808A | 公開（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申請公布號 | CN111534808A | 申請公布日 | 2020-08-14 |
| 分類號 | C23C16/455(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 黃新宇;芮祥新;李建恒 | 申請（專利權(quán)）人 | 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 寧波中致力專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 230088安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號明珠產(chǎn)業(yè)園3號樓5層E區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種含Ta薄膜的原子層沉積方法及其產(chǎn)物，以iPrN＝Ta(NR1R2)3為反應(yīng)源之一，在200～350℃進(jìn)行原子層沉積，得到含Ta薄膜；其中，R1、R2為C1～C6烴基。本發(fā)明能夠在200℃～350℃沉積得到碳含量更低、電子器件性質(zhì)更好的含Ta薄膜，碳含量更低、電子器件性質(zhì)更好。?? |
