一種增強(qiáng)型和耗盡型GaN HEMT集成結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820559173.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN208028062U 公開(kāi)（公告）日 2018-10-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN208028062U 申請(qǐng)公布日 2018-10-30
分類(lèi)號(hào) H01L27/085;H01L29/778;H01L21/8252 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉洪剛;孫兵;?；| 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州聞頌智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州聞頌智能科技有限公司
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市國(guó)泰北路1號(hào)科技創(chuàng)業(yè)園E幢204(蘇州聞頌)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種增強(qiáng)型和耗盡型GaN HEMT集成結(jié)構(gòu)，包括：襯底；緩沖層，形成于所述襯底上；所述HEMT集成結(jié)構(gòu)還包括形成于所述緩沖層上的增強(qiáng)型HEMT器件及耗盡型HEMT器件；所述增強(qiáng)型HEMT器件包括形成于所述緩沖層的第一GaN溝道層、形成于所述第一GaN溝道層上的第一勢(shì)壘層；所述耗盡型HEMT器件包括形成于所述緩沖層的第二GaN溝道層、形成于所述第二GaN溝道層上的第一勢(shì)壘層；所述HEMT集成結(jié)構(gòu)還包括隔離層，所述隔離層位于所述第一GaN溝道層和所述第二GaN溝道層之間及所述第一勢(shì)壘層和所述第二勢(shì)壘層之間以將所述增強(qiáng)型HEMT器件和所述耗盡型HEMT器件相隔離。實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)型和耗盡型GaN HEMT器件的單片集成，是完全平面的增強(qiáng)型和耗盡型GaN HEMT集成結(jié)構(gòu)。