一種增強(qiáng)型GaN基HEMT器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711404647.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108231880B | 公開（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108231880B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉洪剛;?；|;孫兵;袁志鵬;肖冬萍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州聞頌智能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 孫仿衛(wèi) |
| 地址 | 215600江蘇省蘇州市張家港市國(guó)泰北路1號(hào)科技創(chuàng)業(yè)園E幢204（蘇州聞頌） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種增強(qiáng)型GaN基HEMT器件，包括從下往上依次層疊的襯底層、由氮化鎵和氮化鋁構(gòu)成的緩沖層、氮化鎵溝道層、Al(ln,Ga,Sc)N勢(shì)壘層、P型帽層、氮化硅鈍化層；增強(qiáng)型GaN基HEMT器件還包括：設(shè)于P型帽層和Al(ln,Ga,Sc)N勢(shì)壘層中的N型擴(kuò)散層；設(shè)于Al(ln,Ga,Sc)N勢(shì)壘層上表面的源電極和漏電極；設(shè)于P型帽層上表面的柵電極，柵電極位于源電極和漏電極之間；N型擴(kuò)散層位于柵電極和漏電極之間以及柵電極和源電極之間。通過(guò)在柵漏之間形成耗盡區(qū)，使其具有較高的擊穿電壓。本發(fā)明公開一種增強(qiáng)型GaN基HEMT器件的制備方法，將現(xiàn)有技術(shù)中依賴于刻蝕工藝的增強(qiáng)型GaN基HEMT器件制作流程中所涉及的P型帽層刻蝕工藝省去，改為離子注入工藝，提高了增強(qiáng)型GaN基HEMT器件制作工藝的一致性。?? |
