凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711288821.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108010863B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN108010863B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L21/66（2006.01）I;G01N21/95（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮巍;董思遠;郭萬里 申請（專利權）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 屈蘅;李時云
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓，所述凹陷缺陷的檢測方法包括：提供一晶圓，在所述晶圓上形成覆蓋層，所述覆蓋層的厚度在以上；去除所述覆蓋層后，檢測所述晶圓上的凹陷缺陷。本發(fā)明提供的凹陷缺陷的檢測方法以及用于檢測凹陷缺陷的晶圓中，通過在晶圓上形成覆蓋層，使覆蓋層的厚度在以上，在去除覆蓋層時，可使得晶圓上具有的凹陷缺陷的尺寸增大，從而可方便的被晶圓檢測設備檢測出來，從而進行及時有效監(jiān)控缺陷的發(fā)生，減少因此而造成的損失。