半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110580071.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113488537A 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113488537A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程亞杰;施森華;胡利兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周耀君
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件及其形成方法中，由于基于層疊的第一柵極和第一掩膜結(jié)構(gòu)對(duì)低壓器件區(qū)執(zhí)行第一離子注入工藝時(shí)，能夠利用第一掩膜結(jié)構(gòu)加強(qiáng)對(duì)第一柵極區(qū)的離子阻擋能力；同時(shí)，基于層疊的第二柵極和第二掩膜結(jié)構(gòu)對(duì)高壓器件區(qū)執(zhí)行第二離子注入工藝時(shí)，能夠利用第二掩膜結(jié)構(gòu)彌補(bǔ)第二柵極對(duì)第二離子注入的離子阻擋能力的不足。進(jìn)而使得第一柵極和第二柵極的厚度相同時(shí)，低壓器件區(qū)和高壓器件區(qū)的離子注入性能均較佳，以使高壓器件和低壓器件的性能均能夠得以提升。