半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011405874.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112542444B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN112542444B 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L23/522（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪恒;徐靜靜;段念;周俊 申請（專利權(quán)）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張曉薇
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底；設(shè)于所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的第一阱區(qū)；設(shè)于所述第一阱區(qū)內(nèi)的器件區(qū)；貫穿所述半導(dǎo)體襯底和所述第一阱區(qū)的硅通孔結(jié)構(gòu)，所述硅通孔結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層以及環(huán)繞所述導(dǎo)電層設(shè)置的絕緣層；以及，設(shè)于所述第一阱區(qū)內(nèi)，且隔開所述器件區(qū)與所述硅通孔結(jié)構(gòu)的第二阱區(qū)，所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)的導(dǎo)電類型不同。本發(fā)明能夠減小硅通孔結(jié)構(gòu)處的寄生電容在相鄰器件電氣測量中的影響，從而減小電氣測量誤差。