集成電路器件制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110791598.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113488392A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113488392A 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L21/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 占瓊;胡勝;周俊 申請（專利權(quán)）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路器件制造方法，先刻蝕介質(zhì)層，以同步形成均未貫穿該介質(zhì)層的接觸開口和虛擬開口，且使得接觸開口的寬度大于虛擬開口的寬度，然后形成能夠覆蓋虛擬開口內(nèi)表面和接觸開口側(cè)壁上的介質(zhì)層且暴露出接觸開口底面的介質(zhì)層的犧牲層，進(jìn)而在犧牲層的保護(hù)作用下，沿接觸開口對介質(zhì)層進(jìn)行自對準(zhǔn)刻蝕，由此形成與接觸開口自對準(zhǔn)且暴露出導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面的自對準(zhǔn)接觸孔，進(jìn)而保證了填充在接觸開口和自對準(zhǔn)接觸孔中的接觸觸點的可靠性，防止接觸觸點失效的問題。進(jìn)一步地，還可以在制作接觸觸點和虛擬觸點的整個過程中節(jié)省光罩，簡化工藝，降低成本。