半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110736494.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113471234A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471234A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛廣杰 申請（專利權(quán)）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的背照式圖像傳感器及其制備方法中，由于在相鄰的N型結(jié)構(gòu)之間的開槽中生長外延結(jié)構(gòu)的同時在外延結(jié)構(gòu)中摻雜P型離子。進而無需在外延結(jié)構(gòu)完全生長之后執(zhí)行離子注入工藝，避免出現(xiàn)因開槽深寬比過大而導(dǎo)致的注入效果不佳的問題，從而提升了最終制備而成的半導(dǎo)體器件的性能。