半導(dǎo)體器件及其制作方法、芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110736489.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113471158A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113471158A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | H01L23/48（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱奎;薛廣杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 430205湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)高新四路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、芯片，包括：提供第一晶圓，在部分所述第一襯底的表面形成金屬硅化物層；形成硅通孔和開(kāi)孔，開(kāi)孔貫穿金屬硅化物層和部分厚度的第一介質(zhì)層并暴露出第一金屬層；形成焊盤，焊盤形成在硅通孔中并與第一金屬層電連接。本發(fā)明采用金屬硅化物層作為硅通孔的刻蝕停止層，金屬硅化物層與第一襯底具有更高的刻蝕選擇比，可以增強(qiáng)形成硅通孔工藝中第一襯底的刻蝕量，以避免第一襯底刻蝕不完全導(dǎo)致最終焊盤與第一金屬層接觸不良甚至斷路；本發(fā)明開(kāi)孔工藝只涉及金屬硅化物層和第一介質(zhì)層,相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，金屬硅化物層的厚度具有更好的均勻性，從而工藝更好控制，有效避免第一金屬層損傷。 |
