半浮柵晶體管的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110852972.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113471294A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471294A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔風叢;曹開瑋 申請（專利權(quán)）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半浮柵晶體管的制作方法。所述制作方法中，依次形成柵介質(zhì)材料層、第一浮柵材料層以及掩膜材料層，然后利用圖形化的掩膜材料層作掩膜且利用柵介質(zhì)材料層作阻擋，刻蝕第一浮柵材料層而形成限定出半導體襯底上的接觸窗口設(shè)置區(qū)的第二開口，然后利用無掩膜方式去除掩膜材料層和位于接觸窗口設(shè)置區(qū)的柵介質(zhì)材料層，形成半浮柵的接觸窗口，相較于利用經(jīng)多層涂敷得到的掩膜結(jié)構(gòu)來制作接觸窗口的方法，本發(fā)明的制作方法更為簡便，而且利用無掩膜方式刻蝕后直接得到接觸窗口，不需要再去除掩膜材料，可降低原生氧化層的影響，有助于使后續(xù)形成的半浮柵與半導體襯底之間具有良好接觸，從而有助于提升器件性能，便于規(guī)模量產(chǎn)。