提升亮度的倒裝LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510881186.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106848005B 公開（公告）日 2020-02-18
申請公布號 CN106848005B 申請公布日 2020-02-18
分類號 H01L33/00;H01L33/48;H01L33/14;H01L33/42 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱秀山;王倩靜;徐慧文;李起鳴;張宇 申請（專利權(quán)）人 映瑞光電科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 映瑞光電科技（上海）有限公司
地址 201306 上海市浦東新區(qū)臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)新元南路555號金融中心211室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種提升亮度的倒裝LED芯片及其制備方法，包括以下步驟：1）提供生長襯底，在生長襯底上依次生長n型GaN層、發(fā)光層多量子阱及p型GaN層；2）形成貫穿p型GaN層及發(fā)光層多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN層表面形成石墨烯；4）在石墨烯表面形成反射層；5）在反射層表面、內(nèi)側(cè)及第一深槽底部形成反射層保護層；6）采用原子層沉積法在步驟5）得到的結(jié)構(gòu)表面形成氧化鋁層；7）在氧化鋁層內(nèi)形成第一開口及第二開口；8）在第二開口內(nèi)形成N電極，在第一開口內(nèi)及氧化鋁層表面形成P電極。采用原子層沉積制備的氧化鋁層具有更好的絕緣性能和金屬阻擋性能，從而保證倒裝芯片在大電流使用下的可靠性能。