GaN基發(fā)光二極管外延結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910802909.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110635005A 公開（公告）日 2019-12-31
申請公布號 CN110635005A 申請公布日 2019-12-31
分類號 H01L33/06（2010.01）; H01L33/12（2010.01）; H01L33/14（2010.01）; H01L33/32（2010.01）; H01L33/00（2010.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋; 盧國軍 申請（專利權）人 映瑞光電科技（上海）有限公司
代理機構 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 映瑞光電科技（上海）有限公司
地址 200135 上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種GaN基發(fā)光二極管外延結構及其制備方法，該外延結構包括：襯底；N型外延層，位于襯底上；發(fā)光層，位于N型外延層上；電子阻擋層，位于發(fā)光層上；及P型外延層，包括P型主體結構和超晶格結構，超晶格結構包括交替疊設的InAlGaN層和InGaN層，其中，InAlGaN層具有P型摻雜，InGaN層未摻雜。上述外延結構，其P型外延層中由于設有超晶格結構，能夠提升空穴的傳輸能力，且選用InAlGaN層和InGaN層，既能提高對電子的阻擋能力，避免電子進入P型外延層消耗空穴，還能釋放應力，使結構更加穩(wěn)定。