GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910803510.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110635006A 公開(公告)日 2019-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN110635006A 申請(qǐng)公布日 2019-12-31
分類號(hào) H01L33/06(2010.01); H01L33/12(2010.01); H01L33/14(2010.01); H01L33/32(2010.01); H01L33/00(2010.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋; 馬后永 申請(qǐng)(專利權(quán))人 映瑞光電科技(上海)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 映瑞光電科技(上海)有限公司
地址 200135 上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)鴻音路1889號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu),包括依次疊設(shè)的襯底、第一N型外延層、載子流擴(kuò)散層、第二N型外延層、電子流擴(kuò)散層、第三N型外延層、電子流擴(kuò)散層上、發(fā)光層、電子阻擋層,位于發(fā)光層上及P型外延層,其中,第一載子流擴(kuò)散層包括多層結(jié)構(gòu),在自襯底至P型外延層方向,載子流擴(kuò)散層的禁帶寬度逐漸減小,電子流擴(kuò)散層包括交疊的勢(shì)阱層和勢(shì)壘層。通過載子流擴(kuò)散層在傾斜的局限勢(shì)壘區(qū)內(nèi)增強(qiáng)電子的橫向水平傳輸能力,避免電流擁擠,使更多電子向發(fā)光層方向遷移,再通過電子流擴(kuò)散層儲(chǔ)蓄電子流,降低電子的遷移速率,提高發(fā)光層中電子復(fù)合的利用率,并減弱電子溢流出發(fā)光層的現(xiàn)象,繼而提高發(fā)光效率。