GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910801993.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110635004A 公開（公告）日 2019-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN110635004A 申請(qǐng)公布日 2019-12-31
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧國(guó)軍;游正璋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 映瑞光電科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 映瑞光電科技（上海）有限公司
地址 200135 上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)鴻音路1889號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，包括：襯底；N型外延層，位于襯底上；應(yīng)力調(diào)節(jié)層，其禁帶寬度位于N型外延層和發(fā)光層之間，應(yīng)力調(diào)節(jié)層包括依次疊設(shè)于N型外延層上的第一至第M周期結(jié)構(gòu)層，各周期結(jié)構(gòu)層包括交替設(shè)置的勢(shì)阱和勢(shì)壘，自N型外延層至發(fā)光層方向，第一至第M周期結(jié)構(gòu)中的勢(shì)阱和勢(shì)壘的禁帶寬度遞減以逐漸趨近于發(fā)光層的禁帶寬度，M≥2；發(fā)光層，位于應(yīng)力調(diào)節(jié)層上，發(fā)光層的禁帶寬度小于N型外延層的禁帶寬度；電子阻擋層，位于發(fā)光層上；及P型外延層，位于電子阻擋層上。通過(guò)設(shè)置應(yīng)力調(diào)節(jié)層并使應(yīng)力調(diào)節(jié)層中的勢(shì)阱和勢(shì)壘均呈遞減趨勢(shì)，可以削弱發(fā)光層的極化效應(yīng)，提高電子和空穴的復(fù)合幾率。