一種LED芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810118960.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108365061B 公開（公告）日 2020-01-14
申請公布號 CN108365061B 申請公布日 2020-01-14
分類號 H01L33/00（2010.01）; H01L33/38（2010.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于婷婷 申請（專利權(quán)）人 映瑞光電科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 映瑞光電科技（上海）有限公司
地址 201306 上海市浦東新區(qū)臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制造方法，首先提供一包含N型外延層、量子阱層及P型外延層的外延結(jié)構(gòu)，刻蝕所述外延結(jié)構(gòu)形成隔離凹槽，刻蝕靠近所述隔離凹槽的部分所述P型外延層及量子阱層，直至暴露出N型外延層，然后形成功能層、第一絕緣層、金屬連接層、第二絕緣層及鍵合金屬層，通過金屬連接層將N型外延層和功能層連接，通過鍵合金屬層與第二襯底鍵合并去除第一襯底，最后在暴露出的N型外延層上形成保護層及N型襯墊，形成具有垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片。本發(fā)明通過形成金屬互連層，在芯片階段實現(xiàn)集成有利于后段封裝工藝的操作，提高芯片的散熱能力和發(fā)光效率的同時，減少生產(chǎn)成本。