一種LED芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811626985.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109713103B | 公開(公告)日 | 2021-03-02 |
申請公布號 | CN109713103B | 申請公布日 | 2021-03-02 |
分類號 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 沈銘 | 申請(專利權)人 | 映瑞光電科技(上海)有限公司 |
代理機構 | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 劉翔 |
地址 | 201306上海市浦東新區(qū)臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)鴻音路1889號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種LED芯片,包括:依次堆疊的N?GaN層、量子阱層和P?GaN層;反射層,形成于所述P?GaN層上;阻擋層,形成于所述反射層上,所述阻擋層覆蓋所述反射層;所述阻擋層與所述P?GaN層相接觸的部分的材料層的材料為Al、Ag、Zn、AlCu合金中的一種或多種。本發(fā)明將阻擋層中與P?GaN層表面和反射層表面相接觸的材料層替換成具有高反射率的金屬層,使阻擋層即能減少吸光,又保持原有的保護反射層的作用,實現(xiàn)提高LED芯片的出光率,進而提高所述LED芯片亮度的目的。?? |
