N型電池正面SE結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010619097.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111739958A 公開（公告）日 2020-10-02
申請公布號 CN111739958A 申請公布日 2020-10-02
分類號 H01L31/0288(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 瞿輝;曹玉甲;楊松波;張強;袁玲;楊三川 申請（專利權(quán)）人 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司
代理機構(gòu) 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司
地址 213123江蘇省常州市武進高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)陽湖路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種N型電池正面SE結(jié)構(gòu)的制備方法，具體為在制絨后的N型硅片上生長一層氧化層，然后按照細柵線的圖形位置在氧化層上利用激光進行開槽，再進行硼擴散，后續(xù)則進行常規(guī)電池制備流程后，在開槽處印刷金屬電極。由于氧化層對于硼擴散具有一定的阻擋作用，因此在硼擴散過程中，氧化層覆蓋區(qū)摻雜濃度較低，可形成淺摻雜區(qū)；而開槽處則無氧化層或氧化層極薄，則形成重摻雜區(qū)，從而形成硼擴散面SE結(jié)構(gòu)。??