一種N型TOPCon太陽能電池的制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010483586.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111628047A | 公開(公告)日 | 2020-09-04 |
申請公布號 | CN111628047A | 申請公布日 | 2020-09-04 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 袁玲;王芹芹;瞿輝;曹玉甲 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司 |
地址 | 213123江蘇省常州市武進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)陽湖路99號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種N型TOPCon太陽能電池的制作方法,包括如下步驟:a、雙面制絨:b、單面旋涂:c、單面氧化:在旋涂面形成一層含硼氧化硅層;d、形成重、輕摻雜區(qū)基底:使用掩模方式,在對應(yīng)金屬柵線位置形成保護(hù)重?fù)诫s區(qū)的有機(jī)掩膜層;使用HF完全去除有機(jī)掩膜層覆蓋區(qū)外的含硼氧化硅層及硼源,再去除有機(jī)掩膜層;e、完成重、輕摻雜:使用管式低壓擴(kuò)散法將旋涂的硼源完全推進(jìn)硅基體中,形成重?fù)诫s區(qū);再進(jìn)行整面通源沉積,形成輕摻雜區(qū);最后進(jìn)行高溫氧化形成80?100nm厚度的BSG層;后按照正常后續(xù)工序進(jìn)行。本發(fā)明可使硼選擇性發(fā)射極可以得到更高的光電轉(zhuǎn)換效率,從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。?? |
