P型異質(zhì)結(jié)全背電極接觸晶硅光伏電池制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910296835.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111864008A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111864008A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 瞿輝;曹玉甲;王芹芹 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 常州知融專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司 |
| 地址 | 213169江蘇省常州市武進(jìn)區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)陽(yáng)湖路99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種P型異質(zhì)結(jié)全背電極接觸晶硅光伏電池制備方法，包括：進(jìn)行雙面制絨，形成絨面結(jié)構(gòu)；雙面氧化及本征多晶硅而后進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成遂穿氧化鈍化層；利用高溫氧化工藝形成背面的掩膜層；對(duì)背面進(jìn)行激光開(kāi)膜并清洗，利用堿拋工藝去除正面的本征多晶硅；對(duì)背面進(jìn)行硼漿料印刷，烘干形成P+層；對(duì)正面采用硼源摻雜形成P+層；利用HF去除BSG及PSG掩膜層；堿拋的方式去除多余的多晶硅層；雙面氧化鋁、正面氮氧化硅及背面氮化硅，形成鈍化層；絲網(wǎng)印刷形成P+finger、N+finger；低溫?zé)Y(jié)工藝完成電池片制作。本發(fā)明在現(xiàn)有的PERC技術(shù)上將IBC電池的結(jié)構(gòu)引入，同時(shí)引入本征非晶硅的結(jié)構(gòu)，可有效提升VOC及ISC，進(jìn)而大幅度的提升效率。?? |
