一種強磁場高梯度超導(dǎo)磁體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410191068.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105097179A 公開（公告）日 2015-11-25
申請公布號 CN105097179A 申請公布日 2015-11-25
分類號 H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚衛(wèi)超;朱自安;張國慶;汪小明;趙京偉;常哲;吳澤;楊應(yīng)彬 申請（專利權(quán)）人 廣州良源貿(mào)易發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 闞梓瑄
地址 100049 北京市石景山區(qū)玉泉路19號乙院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種強磁場高梯度超導(dǎo)磁體裝置，包括金屬外殼和電磁結(jié)構(gòu)，所述金屬外殼內(nèi)部圍設(shè)有容置空間，在所述容置空間的中部設(shè)置有通道，所述通道包括入口和出口；所述電磁結(jié)構(gòu)封閉設(shè)置在所述容置空間內(nèi)并處于低溫超導(dǎo)環(huán)境中，所述通道穿過所述電磁結(jié)構(gòu)的中心，所述電磁結(jié)構(gòu)為超導(dǎo)電磁結(jié)構(gòu)，且提供沿所述通道軸向上依次排布的第一磁場和第二磁場，所述第一磁場和所述第二磁場磁力方向相反。本發(fā)明的電磁結(jié)構(gòu)能夠同時提供磁力方向相反的兩磁場，在保證強磁場的同時由于兩相反方向磁場的相互抵消還能夠提供非常高的磁場梯度。