一種晶體生長方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010562410.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111663176B 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN111663176B 申請公布日 2022-03-15
分類號 C30B9/00（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王宇;官偉明;梁振興;李敏 申請（專利權(quán)）人 眉山博雅新材料股份有限公司
代理機構(gòu) 成都七星天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊永梅
地址 620010 四川省眉山市東坡區(qū)金象化工產(chǎn)業(yè)園區(qū)君樂路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種晶體生長方法和裝置。該晶體生長方法和裝置能夠抑制晶體生長過程中生長腔體的氧化揮發(fā)。在對裝有生長晶體的原料的生長腔體進行初步抽真空處理后，在加熱生長腔體過程中，對生長腔體進行二次抽真空處理，然后向生長腔體通入保護氣體以及對生長腔體進行換氣處理，能有效地減少生長腔體內(nèi)的氧氣，進而抑制晶體生長過程中的生長腔體氧化揮發(fā)的問題，從而提高晶體質(zhì)量。