一種坩堝保護(hù)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122018809.5 申請日 -
公開（公告）號 CN215560813U 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN215560813U 申請公布日 2022-01-18
分類號 C30B35/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王宇;顧鵬;梁振興 申請（專利權(quán)）人 眉山博雅新材料股份有限公司
代理機構(gòu) 成都七星天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 袁春曉
地址 620010四川省眉山市東坡區(qū)金象化工產(chǎn)業(yè)園區(qū)君樂路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本說明書實施例提供一種坩堝保護(hù)裝置，該坩堝保護(hù)裝置包括套筒，其中，所述套筒包括至少兩個軸對稱的側(cè)筒塊，所述側(cè)筒塊包括筒壁和筒底；緩沖層，所述緩沖層設(shè)置于所述側(cè)筒塊的所述筒壁和/或筒底的內(nèi)側(cè)，其中，設(shè)置有所述緩沖層的所述至少兩個側(cè)筒塊拼接于坩堝外壁，以使所述緩沖層包裹所述坩堝外壁。