一種晶體制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011524796.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112708933B 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN112708933B 申請公布日 2022-02-08
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王宇;楊田;梁振興;李敏 申請（專利權(quán)）人 眉山博雅新材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都七星天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 嚴(yán)芳芳
地址 620010 四川省眉山市東坡區(qū)金象化工產(chǎn)業(yè)園區(qū)君樂路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N晶體制備方法。所述方法包括：將籽晶置于生長腔體的頂部；將源材料置于所述生長腔體的底部；分別將第一溫度補(bǔ)償組件和第二溫度補(bǔ)償組件安裝到所述生長腔體的上表面和下表面；將加熱組件置于所述生長腔體的外部；通過所述加熱組件、所述第一溫度補(bǔ)償組件和所述第二溫度補(bǔ)償組件對所述生長腔體加熱；在晶體生長過程中，基于至少一個(gè)晶體生長參數(shù)，調(diào)節(jié)所述加熱組件、所述第一溫度補(bǔ)償組件和所述第二溫度補(bǔ)償組件的加熱功率，使得晶體生長界面與所述源材料間的溫場保持基本穩(wěn)定。