一種用于量子通信中波導(dǎo)的刻蝕工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210380098.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114690316A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114690316A 申請公布日 2022-07-01
分類號 G02B6/13（2006.01）I;G02B6/136（2006.01）I;G02B6/134（2006.01）I;G02B6/12（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 董曉君;曹鵬;王雪;李珍珍;石磊;趙夢凡 申請（專利權(quán)）人 山東建筑大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 250100山東省濟(jì)南市歷城區(qū)鳳鳴路1000號山東建筑大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于量子通信中波導(dǎo)的刻蝕工藝方法，高質(zhì)量鈮酸鋰波導(dǎo)在量子通信中至關(guān)重要，波導(dǎo)質(zhì)量決定了芯片的質(zhì)量，進(jìn)而影響在量子通信中的傳輸量與傳輸速度，選用鈮酸鋰晶圓為襯底，在其正Z面沉積鉻層、旋涂光刻膠，后經(jīng)光刻、鉻腐蝕在鈮酸鋰晶圓上得到波導(dǎo)圖形，再經(jīng)質(zhì)子交換、刻蝕等工藝過程，得到高質(zhì)量波導(dǎo)，光刻膠厚度控制在600?700nm；氫離子與鋰離子進(jìn)行交換，質(zhì)子源為配比4270：1的苯甲酸與苯甲酸鋰熔融態(tài)，質(zhì)子交換爐溫度170℃、時(shí)間10?24h；濕法刻蝕過程中，1：2.5氫氟酸和硝酸刻蝕液，16?20℃的刻蝕溫度。本發(fā)明采用的刻蝕工藝方法，使得展寬精準(zhǔn)控制、刻蝕速率穩(wěn)定、波導(dǎo)表面光滑、傳輸損耗低。