基于二維鈣鈦礦單晶的LED及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010347661.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111261796B 公開（公告）日 2020-06-09
申請公布號 CN111261796B 申請公布日 2020-06-09
分類號 H01L51/50(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 蔣小強;何云;許劍;劉桂芝 申請（專利權）人 上海銀行股份有限公司浦東分行
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 上海南麟電子股份有限公司
地址 201210上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)蔡倫路103號1幢3樓A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于二維鈣鈦礦單晶的LED及其制備方法，二維鈣鈦礦單晶復合結構包括M≥2個堆疊的二維鈣鈦礦單晶；二維鈣鈦礦單晶包括N≥2層二維鈣鈦礦單層；二維鈣鈦礦單層包括n層共角鹵化鉛八面體、n?1層有機配體A及2層有機配體B，n≥1，二維鈣鈦礦單層的化學式為B2An?1PbnX3n+1，X為鹵族元素，有機配體B的碳原子數大于有機配體A；同一個二維鈣鈦礦單晶中的二維鈣鈦礦單層具有相同的n值，且遠離電子注入層的二維鈣鈦礦單晶中的n值大于臨近電子注入層的二維鈣鈦礦單晶的n值；具有注入效率高、環(huán)境穩(wěn)定性高和電光轉換效率高的優(yōu)點。??