晶體生長組件、晶體生長裝置和方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110440864.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113122924A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113122924A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳澤斌;張潔;廖弘基;陳華榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建北電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉曾
地址 362200福建省泉州市晉江市陳埭鎮(zhèn)江浦社區(qū)企業(yè)運(yùn)營中心大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶體生長組件、晶體生長裝置和方法。晶體生長組件包括葉片調(diào)整環(huán)，葉片調(diào)整環(huán)包括外環(huán)體和多個(gè)葉片件；外環(huán)體用于沿坩堝的高度方向布置；葉片件沿坩堝的高度方向延伸，多個(gè)葉片件均勻間隔地設(shè)置地外環(huán)體的內(nèi)壁上，且多個(gè)葉片件遠(yuǎn)離外環(huán)體的端部圍合形成中心通道。其能夠引導(dǎo)和調(diào)整生產(chǎn)氣氛，從而保障晶體能夠穩(wěn)定高效地生長。